在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高能效、高頻化、高溫化演進(jìn)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料（碳化硅SiC、氮化鎵GaN）憑借其寬禁帶特性，正成為新能源、5G通信、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的核心支撐技術(shù)。

在此背景下，TH521系列功率器件分析儀通過創(chuàng)新架構(gòu)設(shè)計(jì)，將多參數(shù)測(cè)量、多測(cè)量模塊、超廣工作范圍等模塊集成于單臺(tái)設(shè)備，為應(yīng)用提供質(zhì)量保障。

TH521系列實(shí)現(xiàn)單機(jī)集成IV/CV/Qg/腳本測(cè)試/DataSheet五大核心測(cè)試模塊，一站式覆蓋功率器件靜態(tài)穩(wěn)態(tài)特性與動(dòng)態(tài)開關(guān)性能的全維度核心參數(shù)測(cè)試。

TH521系列由主機(jī)加擴(kuò)展器的形式組成，從下圖可以看出，左圖部分為儀器的主機(jī)，右圖為大電流擴(kuò)展器用于大電流測(cè)試。

有八種測(cè)量模塊，各模塊實(shí)現(xiàn)著獨(dú)特的功能特性，能夠根據(jù)客戶的實(shí)際需求，靈活挑選不同型號(hào)的主機(jī)進(jìn)行搭配組合。

在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用中，新能源汽車對(duì)碳化硅（SiC）功率器件的耐高壓性能要求嚴(yán)苛。以3300V碳化硅MOSFET為例，其主驅(qū)逆變器、高壓快充等場(chǎng)景需承受電網(wǎng)級(jí)電壓波動(dòng)與瞬態(tài)過壓沖擊，測(cè)試需采用遠(yuǎn)超標(biāo)稱電壓的強(qiáng)化方案以確?？煽啃?。

TH521系列最大輸出電壓能達(dá)到±3500V最大輸出電流能達(dá)到±1800A，電壓測(cè)量最小分辨率100nV，電流測(cè)量最小分辨率10fA，針對(duì)電容測(cè)量集電極最大偏置電壓達(dá)到±3500V，測(cè)量頻率最高可以達(dá)到10MHz。

（TH521系列產(chǎn)品型號(hào)）

為提升功率器件研發(fā)效率并規(guī)避人工處理海量數(shù)據(jù)導(dǎo)致的誤差風(fēng)險(xiǎn)，TH521系列技術(shù)資料生成系統(tǒng)基于標(biāo)準(zhǔn)化模板庫，可自動(dòng)創(chuàng)建功率器件（半導(dǎo)體和元器件）的技術(shù)資料。

TH521突破傳統(tǒng)儀器依賴人工編程的模式，引入AI輔助編寫Python測(cè)試腳本功能，通過自然語言交互實(shí)現(xiàn)“所思即所得"的腳本開發(fā)。這一突破性設(shè)計(jì)為功率器件研發(fā)從"經(jīng)驗(yàn)驅(qū)動(dòng)"向"數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)"的智能化轉(zhuǎn)型提供了關(guān)鍵工具支撐。

同惠電子將持續(xù)深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，聚焦SiC/GaN等功率器件需求，突破動(dòng)態(tài)參數(shù)、多物理場(chǎng)測(cè)試等關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)覆蓋全周期的智能化測(cè)試方案，助力行業(yè)技術(shù)突破與國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控貢獻(xiàn)力量。